以III族氮化物为代表的第三代半导体材料，多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料(InN除外)，是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器，因此被公认是当前国际光电信息技术领域的战略制高点，全球范围现阶段均投入大量人力物力进行相关研发。
III族氮化物以InN-GaN-AlN这三者及其合金为主，InGaN量子阱是可见光波段发光器件的核心，AlGaN量子阱是深紫外光电子器件的关键材料，而AlGaN/GaN异质结构，则是电力电子器件和微波通讯器件的核心材料。
通过突破高Al和高In组分氮化物材料制备难题，攻克蓝光、绿光发光效率限制瓶颈，实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构，提升我国第三代半导体关键材料水平，掌握材料和器件科学规律及核心技术，对推动电子材料产业转型升级，培育新的经济增长点具有重要意义。
迁移特性是半导体最为基础的性质之一，是半导体在电子学和光电子学等领域进行应用的基础。半导体的迁移率定义为单位电场下载流子的平均漂移速度。TOF（time-of-flight）迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。 相比于一些间接的迁移率测试方法，如空间电荷限制电流（SCLC）法等，TOF的方法被认为是最接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析，可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数；用户还可以利用这些数据，结合材料的物理模型进行分析，得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。
FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪是Oriental Spectra推出的业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测量商业化设备。广泛适用于各类半导体材料，如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架（MOF）、共价有机框架（COF）等。该设备具备瞬态光电流测量、电子迁移率测量、空穴迁移率测量、二维平面的成像、水平载流子迁移率测量等功能。
